IPG20N06S2L35ATMA1 транзистор, N-Channel MOSFET, 20 A, 55 V, 8-Pin TDSON, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 89 руб.

Сравнить

Описание

• Силовой транзистор OptiMOS ™
• Двойной N-канальный логический уровень - режим улучшения
• Соответствие требованиям AEC Q101 для автомобилей
• Рабочая температура 175 ° C
• 100% лавинные испытания

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IPG20N06S2L35ATMA1 транзистор

P/N

IPG20N06S2L35ATMA1

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1251819

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+175 °C

Вес, г

0.2

Максимальный непрерывный ток стока

20 А

Максимальное рассеяние мощности

65 W

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

5.9мм

Высота

1мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

44 mΩ

Максимальное напряжение сток-исток

55 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Длина

5.15мм

Серия

OptiMOS

Типичное время задержки выключения

25 ns

Тип корпуса

TDSON

Размеры

5.15 x 5.9 x 1мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

3 нс

Производитель

Infineon

Maximum Gate Threshold Voltage

2.2V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.2V

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

18 nC @ 10 V

Типичная входная емкость при Vds

610 pF @ 25 V

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Техническая документация

Datasheet , pdf , 197 КБ

IPG20N06S2L35ATMA1 транзистор, N-Channel MOSFET, 20 A, 55 V, 8-Pin TDSON - характеристики, поставщики

Последняя цена 89 руб.

Техническая документация