IPP600N25N3GXKSA1, МОП-транзистор, N Канал, 25 А, 250 В, 0.051 Ом, 10 В, 3 В, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 590 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

IPP600N25N3 G - это N-канальный силовой полевой МОП-транзистор, основанный на ведущей тестовой технологии OptiMOS ™. Он идеально подходит для синхронного выпрямления в системах 48 В, преобразователях постоянного тока в постоянный, источниках бесперебойного питания (ИБП) и инверторах.

• Самые низкие Qg и Qgd
• Самый низкий в мире FOM, рейтинг MSL 1
• Самый высокий КПД
• Самая высокая плотность мощности
• Самый низкий расход места на плате
• Требуется минимальное параллельное подключение устройств
• Экологичность
• Продукты, легко встраиваемые в конструкцию
• Идеально подходят для высокочастотного переключения и синхронного выпрямления
• Соответствуют требованиям JEDEC для целевого применения
• Безгалогеновое, экологичное устройство

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IPP600N25N3GXKSA1

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1251900

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

175 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Стиль Корпуса Транзистора

to-220

Рассеиваемая Мощность

136Вт

Полярность Транзистора

N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

250в

Непрерывный Ток Стока

25А

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)

0.051Ом

Напряжение Измерения Rds(on)

10В

Пороговое Напряжение Vgs

3В

Максимальный непрерывный ток стока

25 A

Максимальное рассеяние мощности

136 Вт

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Ширина

4.57мм

Высота

15.95мм

Количество элементов на ИС

Конфигурация транзистора

Одинарный

Brand

Infineon

Series

OptiMOS 3

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

60 МОм

Максимальное напряжение сток-исток

250 В

Typical Gate Charge @ Vgs

22 нКл при 10 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Maximum Gate Source Voltage

-20 В, +20 В

Base Product Number

IPP600 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

25A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

250V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

29nC @ 10V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

2350pF @ 100V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Монтаж на плату в отверстия

Operating Temperature

-55В°C ~ 175В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3

Power Dissipation (Max)

136W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

60mOhm @ 25A, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

PG-TO220-3-1

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 90ВµA

Длина

10.36мм

Серия

OptiMOS 3

Типичное время задержки выключения

22 ns

Тип корпуса

TO-220

Размеры

10.36 x 4.57 x 15.95мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

10 нс

Производитель

Infineon

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

22 nC @ 10 V

Типичная входная емкость при Vds

1770 пФ при 100 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Maximum Continuous Drain Current

25 А

Maximum Power Dissipation

136 Вт

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

15.95мм

Maximum Drain Source Resistance

60 мΩ

Channel Type

Минимальное пороговое напряжение включения

Техническая документация

Datasheet , pdf , 690 КБ

IPP600N25N3GXKSA1, МОП-транзистор, N Канал, 25 А, 250 В, 0.051 Ом, 10 В, 3 В - характеристики, поставщики

Последняя цена 590 руб.

Техническая документация