ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IPB60R125C6ATMA1, МОП-транзистор, N Канал, 30 А, 600 В, 0.11 Ом, 10 В, 3 В - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IPB60R125C6ATMA1, МОП-транзистор, N Канал, 30 А, 600 В, 0.11 Ом, 10 В,…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IPB60R125C6ATMA1, МОП-транзистор, N Канал, 30 А, 600 В, 0.11 Ом, 10 В, 3 В
Последняя цена
990 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
IPB60R125C6ATMA1
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1251688
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
2вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора
TO-263
Рассеиваемая Мощность
219Вт
Полярность Транзистора
N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
600в
Непрерывный Ток Стока
30а
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.11Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs
3В
Линейка Продукции
CoolMOS C6 Series
Техническая документация
Datasheet IPB60R125C6ATMA1 , pdf
, 1308 КБ