ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IPB160N04S203ATMA4, Транзистор MOSFET N-CH 40В 160А [TO263-7, 6 Leads] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IPB160N04S203ATMA4, Транзистор MOSFET N-CH 40В 160А [TO263-7, 6 Leads]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IPB160N04S203ATMA4, Транзистор MOSFET N-CH 40В 160А [TO263-7, 6 Leads]
Последняя цена
600 руб.
Сравнить
Описание
МОП-транзистор N-CHANNEL_30/40V
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
IPB160N04S203ATMA4
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1251677
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
175 C
Количество Выводов
7вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора
TO-263
Рассеиваемая Мощность
300Вт
Полярность Транзистора
N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
40В
Непрерывный Ток Стока
160А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.0024Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs
3В
Вес, г
3.5
Стандарты Автомобильной Промышленности
AEC-Q101
Линия Продукции
OptiMOS T Series
Техническая документация
IPB160N04S203ATMA4 , pdf
, 149 КБ
Datasheet IPB160N04S203ATMA4 , pdf
, 146 КБ