IPD60R180P7ATMA1, МОП-транзистор, N Канал, 18 А, 600 В, 0.145 Ом, 10 В, 3.5 В, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 530 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

'Высоковольтные N-канальные полевые МОП-транзисторы семейства CoolMOS P7. Имеют высокие динамические характеристики. Предназначены для AC-DC импульсных источников питания, адаптеров, зарядных устройств, инверторов.
Особенности CoolMOS P7:
лучшее в классе значение FOM (RDS(on) * Eoss);
наименьшее в классе пороговое напряжение включения V(GS)th от 3 В с малым разбросом ± 0.5 В;
электростатическая защита затвора (ESD класс, HBM).
'
Корпус TO252, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 650 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 18 А, Сопротивление открытого канала (мин) 180 мОм

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IPD60R180P7ATMA1

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1251776

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Стиль Корпуса Транзистора

TO-252

Рассеиваемая Мощность

72Вт

Полярность Транзистора

N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

600в

Непрерывный Ток Стока

18А

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)

0.145Ом

Напряжение Измерения Rds(on)

10В

Пороговое Напряжение Vgs

3.5В

Линейка Продукции

CoolMOS P7 Series

Техническая документация

Datasheet IPD60R180P7ATMA1 , pdf , 1208 КБ

IPD60R180P7ATMA1, МОП-транзистор, N Канал, 18 А, 600 В, 0.145 Ом, 10 В, 3.5 В - характеристики, поставщики

Последняя цена 530 руб.

Техническая документация