Транзисторы - Полевые (FETs, MOSFETs) - купить, сравнить


Полевые (FETs, MOSFETs)

IXFQ60N50P3 транзистор, N-Channel MOSFET, 60 A, 500 V, 3-Pin TO-3P
IXFQ60N50P3 транзистор, N-Channel MOSFET, 60 A, 500 V, 3-Pin TO-3P
Производитель: Ixys Corporation, IXFQ60N50P3 транзистор

N-канальный силовой МОП-транзистор, серия IXYS HiperFET ™ Polar3 ™ Серия N-канальных силовых МОП-транзисторов IXYS Polar3 ™…

IXFN44N80P
IXFN44N80P
Производитель: Ixys Corporation

Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - SingleN-канал 800V 39A (Tc) 694W (Tc) Монтаж на шасси SOT-227B

IXFN27N80Q, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 800 В, 27 А, 0.32 Ом, ISOTOP, Module
IXFN27N80Q, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 800 В, 27 А, 0.32 Ом, ISOTOP, Module
Производитель: Ixys Corporation, IXFN27N80Q

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы • Пакет международных стандартов …

IXFN230N10, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 100 В, 230 А, 0.006 Ом, ISOTOP, Module
IXFN230N10, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 100 В, 230 А, 0.006 Ом, ISOTOP, Module
Производитель: Ixys Corporation, IXFN230N10

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы IXFN230N10 - это одноканальный силовой МОП-транзисто…

IXFH60N65X2, Транзистор, X2-Class HiperFET, N-канал, 650В, 60А, 52мОм [TO-247]
IXFH60N65X2, Транзистор, X2-Class HiperFET, N-канал, 650В, 60А, 52мОм [TO-247]
Производитель: Ixys Corporation, IXFH60N65X2

N-Channel 650V 60A (Tc) 780W (Tc) Through Hole

IXFB210N30P3
IXFB210N30P3
Производитель: Ixys Corporation

Транзисторы и сборки MOSFETкол-во в упаковке: 25, корпус: TO264, АБ N-канальный силовой МОП-транзистор, серия IXYS HiperFE…

IRLS4030TRL7PP, МОП-транзистор, N Канал, 190 А, 100 В, 0.0032 Ом, 10 В, 2.5 В
IRLS4030TRL7PP, МОП-транзистор, N Канал, 190 А, 100 В, 0.0032 Ом, 10 В, 2.5 В
Производитель: Infineon Technologies, IRLS4030TRL7PP

IRLS3813TRLPBF, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 30 В, 160 А, 0.0016 Ом, TO-263AB, Surface Mount
IRLS3813TRLPBF, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 30 В, 160 А, 0.0016 Ом, TO-263AB, Surface Mount
Производитель: Infineon Technologies, IRLS3813TRLPBF

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы N-канальный силовой полевой МОП-транзистор 30 В…

IRLR3802PBF, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 12 В, 84 А, 0.0085 Ом, TO-252 (DPAK), Surface Mount
IRLR3802PBF, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 12 В, 84 А, 0.0085 Ом, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Производитель: Infineon Technologies, IRLR3802PBF

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы • Сверхнизкое сопротивление затвора • Очень низ…

IRLL014TRPBF, Транзистор N-CH 60V 2.7A [SOT-223]
IRLL014TRPBF, Транзистор N-CH 60V 2.7A [SOT-223]
Производитель: Infineon Technologies, IRLL014TRPBF
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 2
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.2 Ом/1.6А, 5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2.1
Крутизна характеристики, S 2.3
Корпус SOT-223

Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Корпус TO261