ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRLS3813TRLPBF, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 30 В, 160 А, 0.0016 Ом, TO-263AB, Surface Mount - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IRLS3813TRLPBF, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 30 В, 160 А, 0.0016 О…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IRLS3813TRLPBF, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 30 В, 160 А, 0.0016 Ом, TO-263AB, Surface Mount
Последняя цена
610 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
N-канальный силовой полевой МОП-транзистор 30 В, Infineon
Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов с полевыми транзисторами HEXFET® от Infineon включает N-канальные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и выводах. И форм-факторы, которые могут решить практически любую проблему компоновки платы и теплового дизайна. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
IRLS3813TRLPBF
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1252602
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора
TO-263AB
Рассеиваемая Мощность
195Вт
Полярность Транзистора
N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
30В
Непрерывный Ток Стока
160А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.0016Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs
2.35В
Transistor Mounting
Surface Mount
Линейка Продукции
HEXFET Series
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Package Type
D2PAK (TO-263)
Высота
4.83mm
Length
10.67мм
Brand
Infineon
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
55 nC @ 4.5 V
Maximum Gate Source Voltage
-20 В, +20 В
Mounting Type
Поверхностный монтаж
Серия
HEXFET
Maximum Gate Threshold Voltage
2.35V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.35V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Continuous Drain Current
247 A
Maximum Power Dissipation
195 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
9.65mm
Maximum Drain Source Resistance
1.95 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Channel Mode
Поднятие
Channel Type
N
Forward Diode Voltage
1.3V
Техническая документация
Datasheet IRLS3813TRLPBF , pdf
, 489 КБ