NTHL020N120SC1, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Канал, 103 А, 1.2 кВ, 0.02 Ом, TO-247
Производитель: ONSEMI, NTHL020N120SC1
NTHL020N090SC1, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Канал, 118 А, 900 В, 0.02 Ом, TO-247
Производитель: ONSEMI, NTHL020N090SC1
NTHD3100CT1G, Двойной МОП-транзистор, N и P Дополнение, 20 В, 3.9 А, 0.064 Ом, ChipFET, Surface Mount
Производитель: ONSEMI, NTHD3100CT1G
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Двойные МОП-транзисторы • Малый размер • На 40% меньше, чем корпус TSOP-6 • Тран…
NTH4L160N120SC1, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Канал, 17.3 А, 1.2 кВ, 0.16 Ом, TO-247
Производитель: ONSEMI, NTH4L160N120SC1
NTH4L080N120SC1, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Канал, 29 А, 1.2 кВ, 0.08 Ом, TO-247
Производитель: ONSEMI, NTH4L080N120SC1
NTH4L060N090SC1, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Канал, 66.9 А, 900 В, 0.0531 Ом, TO-247
Производитель: ONSEMI, NTH4L060N090SC1
NTH4L040N120SC1, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Канал, 58 А, 1.2 кВ, 0.04 Ом, TO-247
Производитель: ONSEMI, NTH4L040N120SC1
NTH4L015N065SC1, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Канал, 142 А, 650 В, 0.012 Ом, TO-247
Производитель: ONSEMI, NTH4L015N065SC1
NTGS3455T1G, МОП-транзистор, P Канал, -2.5 А, -30 В, 0.094 Ом, -10 В, -1.87 В
Производитель: ONSEMI, NTGS3455T1G
NTD5C434NT4G, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 40 В, 160 А, 0.0017 Ом, TO-252 (DPAK), Surface Mount
