ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IXFH60N65X2, Транзистор, X2-Class HiperFET, N-канал, 650В, 60А, 52мОм [TO-247] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Ixys Corporation
IXFH60N65X2, Транзистор, X2-Class HiperFET, N-канал, 650В, 60А, 52мОм…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IXFH60N65X2, Транзистор, X2-Class HiperFET, N-канал, 650В, 60А, 52мОм [TO-247]
Последняя цена
1790 руб.
Сравнить
Описание
N-Channel 650V 60A (Tc) 780W (Tc) Through Hole
Информация
Производитель
Ixys Corporation
Артикул
IXFH60N65X2
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1253892
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора
to-247
Рассеиваемая Мощность
780Вт
Полярность Транзистора
N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
650В
Непрерывный Ток Стока
60А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.052Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs
5в
Линия Продукции
HiPerFET Series
Техническая документация
IXFH60N65X2 , pdf
, 317 КБ
Datasheet IXFH60N65X2 , pdf
, 159 КБ