ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IXFN44N80P - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Ixys Corporation
IXFN44N80P
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IXFN44N80P
Последняя цена
4820 руб.
Сравнить
Описание
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - Single
N-канал 800V 39A (Tc) 694W (Tc) Монтаж на шасси SOT-227B
Информация
Производитель
Ixys Corporation
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1253924
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
N-Channel
Ширина
25.42 mm
Высота
12.22 mm
Series
PolarHVв„ў ->
Минимальная рабочая температура
55 C
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
39A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)
800V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
ECCN
EAR99
FET Type
N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
200nC @ 10V
HTSUS
8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
12000pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Chassis Mount
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
SOT-227-4, miniBLOC
Power Dissipation (Max)
694W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 500mA, 10V
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
SOT-227B
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
В±30V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Id - непрерывный ток утечки
39 A
Pd - рассеивание мощности
694 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
190 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
800 V
Vgs - напряжение затвор-исток
30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
5 V
Вид монтажа
Chassis Mount
Время нарастания
22 ns
Время спада
27 ns
Длина
38.23 mm
Категория продукта
Дискретные полупроводниковые модули
Количество каналов
1 Channel
Коммерческое обозначение
HiPerFET
Конфигурация
Single
Подкатегория
Discrete Semiconductor Modules
Размер фабричной упаковки
10
Серия
HiPerFET
Технология
Si
Тип продукта
Discrete Semiconductor Modules
Типичное время задержки выключения
75 ns
Типичное время задержки при включении
28 ns
Торговая марка
IXYS
Упаковка / блок
SOT-227-4
Тип
PolarHV HiPerFET Power MOSFET
Упаковка
Tube
California Prop 65
Warning Information
Техническая документация
Datasheet IXFN44N80P , pdf
, 133 КБ
Datasheet IXFN44N80P , pdf
, 137 КБ
