IXFQ60N50P3 транзистор, N-Channel MOSFET, 60 A, 500 V, 3-Pin TO-3P, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 620 руб.

Сравнить

Описание

N-канальный силовой МОП-транзистор, серия IXYS HiperFET ™ Polar3 ™
Серия N-канальных силовых МОП-транзисторов IXYS Polar3 ™ с быстродействующим внутренним диодом (HiPerFET ™)

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXFQ60N50P3 транзистор

P/N

IXFQ60N50P3

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1253936

Технические параметры

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Package Type

TO-3P

Transistor Material

Length

15.8мм

Brand

IXYS

Series

HiperFET, Polar3

Pin Count

Typical Gate Charge @ Vgs

96 nC @ 10 V

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Mounting Type

Монтаж на плату в отверстия

Transistor Configuration

Одинарный

Maximum Gate Threshold Voltage

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

60 A

Maximum Power Dissipation

1.04 kW

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

4.9мм

Height

20.3mm

Maximum Drain Source Resistance

100 mΩ

Maximum Drain Source Voltage

500 В

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

IXFQ60N50P3 транзистор, N-Channel MOSFET, 60 A, 500 V, 3-Pin TO-3P - характеристики, поставщики

Последняя цена 620 руб.