MD400HFR120C2S, Silicon Carbide MOSFET, Silicon Carbide, Half Bridge, Двойной N Канал, 542 А, 1.2 кВ, 0.0033 Ом
Производитель: STARPOWER, MD400HFR120C2S
MD30FSR120L2SF, МОП-транзистор, Шесть N Каналов, 49 А, 1.2 кВ, 0.04 Ом, 18 В, 5.6 В
Производитель: STARPOWER, MD30FSR120L2SF
MD300HFR120C2S, Silicon Carbide MOSFET, Silicon Carbide, Half Bridge, Двойной N Канал, 381 А, 1.2 кВ, 0.005 Ом
Производитель: STARPOWER, MD300HFR120C2S
MD300HFR120B3S, Silicon Carbide MOSFET, Silicon Carbide, Half Bridge, Двойной N Канал, 381 А, 1.2 кВ, 0.005 Ом
Производитель: STARPOWER, MD300HFR120B3S
MD200HFR120C2S, Silicon Carbide MOSFET, Silicon Carbide, Half Bridge, Двойной N Канал, 299 А, 1.2 кВ, 0.0067 Ом
Производитель: STARPOWER, MD200HFR120C2S
MD15FSR120L2SF, МОП-транзистор, Шесть N Каналов, 25 А, 1.2 кВ, 0.08 Ом, 18 В, 5.6 В
Производитель: STARPOWER, MD15FSR120L2SF
MD120HFR120C2S, Silicon Carbide MOSFET, Silicon Carbide, Half Bridge, Двойной N Канал, 200 А, 1.2 кВ, 0.01 Ом
Производитель: STARPOWER, MD120HFR120C2S
MCH3478-TL-W, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 30 В, 2 А, 0.125 Ом, SOT-323, Surface Mount
Производитель: ONSEMI, MCH3478-TL-W
IXTK22N100L, MOSFET
Производитель: Ixys Corporation, IXTK22N100L
Semiconductors N-канальные силовые МОП-транзисторы, серия IXYS Linear N-канальные силовые МОП-транзисторы, разрабо…
IXTK140N20P, Силовой МОП-транзистор, PolarFET, N Канал, 200 В, 140 А, 0.018 Ом, TO-264, Through Hole
Производитель: Ixys Corporation, IXTK140N20P
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы • Пакеты по международным стандартам