ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IXFB210N30P3 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Ixys Corporation
IXFB210N30P3
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IXFB210N30P3
Последняя цена
2230 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки MOSFET
кол-во в упаковке: 25, корпус: TO264, АБ
N-канальный силовой МОП-транзистор, серия IXYS HiperFET ™ Polar3 ™
Серия N-канальных силовых МОП-транзисторов IXYS Polar3 ™ с быстродействующим внутренним диодом (HiPerFET ™)
Информация
Производитель
Ixys Corporation
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1253867
Технические параметры
Вес, г
12.84
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Package Type
PLUS264
Transistor Material
Si
Length
20.29mm
Brand
IXYS
Series
HiperFET, Polar3
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
268 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Mounting Type
Монтаж на плату в отверстия
Transistor Configuration
Одинарный
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Continuous Drain Current
210 A
Maximum Power Dissipation
1.89 kW
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
5.31mm
Height
26.59mm
Maximum Drain Source Resistance
14.5 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
300 В
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
