PMCM4402UPEZ
Производитель: Nexperia
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор MOS Discretes WLCSP
DMP3125L-7
Производитель: Diodes Incorporated
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - SingleP-канал 30V 2.5A (Ta) 650 мВт (Ta) поверхностный монтаж SOT-23
IPL60R105P7AUMA1
Производитель: Infineon Technologies
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор HIGH POWER_NEW
FDP3652
Производитель: ON Semiconductor
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 100V 61a 0.016 Ohm
FDD120AN15A0-F085
Производитель: ON Semiconductor
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 14A 150V МОП-транзистор
FQT7N10TF
Производитель: ON Semiconductor
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 100V Single
FQD3N60CTM-WS
Производитель: ON Semiconductor
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 600V 2.4A N-Channel Q-FET
FDS8842NZ
Производитель: ON Semiconductor
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 40V NCh PowerTrench w/МОП-транзис…
FDD8880, N-Channel MOSFET, 58 A, 30 V, 3-Pin DPAK ON Semiconductor FDD8880
Производитель: ON Semiconductor, FDD8880
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 58 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 55 |
| Корпус | TO252-3 |
транзисторы полевые импортные Полевой МОП-транзистор PowerTrench® с N-каналом, от 20 А до 59,9 А, Fairchild Semiconductor
NDS356AP, Trans MOSFET P-CH 30V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R
Производитель: ON Semiconductor, NDS356AP
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET P-канальный MOSFET в режиме улучшения, Fairchild Semiconductor