FDP3652, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 440 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор

МОП-транзистор 100V 61a 0.016 Ohm

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2335299

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 175 C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

1.8

Ширина

4.7 mm

Высота

16.3 mm

Series

PowerTrenchВ® ->

Минимальная рабочая температура

55 C

Base Product Number

FDP36 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

9A (Ta), 61A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

53nC @ 10V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

2880pF @ 25V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-55В°C ~ 175В°C (TJ)

Package

Bulk

Package / Case

TO-220-3

Power Dissipation (Max)

150W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

16mOhm @ 61A, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-220-3

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250ВµA

Id - непрерывный ток утечки

61 A

Pd - рассеивание мощности

150 W

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

14 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

100 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V

Вид монтажа

Through Hole

Время нарастания

85 ns

Время спада

45 ns

Длина

10.67 mm

Другие названия товара №

FDP3652_NL

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Конфигурация

Single

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

800

Серия

FDP3652

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

26 ns

Типичное время задержки при включении

12 ns

Торговая марка

ON Semiconductor / Fairchild

Упаковка / блок

TO-220-3

Тип

MOSFET

Упаковка

Tube

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

61A(Tc)

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

150W(Tc)

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

100V

Vgs - Gate-Source Voltage

4V @ 250uA

Техническая документация

Datasheet FDP3652 , pdf , 762 КБ
Datasheet FDP3652 , pdf , 766 КБ
Datasheet FDP3652 , pdf , 760 КБ

FDP3652 - характеристики, поставщики

Последняя цена 440 руб.

Техническая документация