ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
FDS8842NZ - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
FDS8842NZ
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
FDS8842NZ
Последняя цена
200 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор 40V NCh PowerTrench w/МОП-транзистор
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
2334625
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Количество Выводов
8вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора
SOIC
Рассеиваемая Мощность
2.5Вт
Полярность Транзистора
N-Channel
Напряжение Истока-стока Vds
40В
Непрерывный Ток Стока
14.9А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.0056Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs
1.9В
Вес, г
0.13
Линейка Продукции
PowerTrench Series
Ширина
3.9 mm
Высота
1.75 mm
Минимальная рабочая температура
55 C
Id - непрерывный ток утечки
14.9 A
Pd - рассеивание мощности
2.5 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
7 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
40 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
7 ns
Время спада
5 ns
Длина
4.9 mm
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Коммерческое обозначение
PowerTrench
Конфигурация
Single Quad Drain Triple Source
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
2500
Серия
FDS8842NZ
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
34 ns
Типичное время задержки при включении
13 ns
Торговая марка
ON Semiconductor / Fairchild
Упаковка / блок
SO-8
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C
14.9A
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)
2.5W
Rds On - Drain-Source Resistance
7mО© @ 14.9A,10V
Transistor Polarity
N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
40V
Vgs - Gate-Source Voltage
3V @ 250uA
Техническая документация
Datasheet FDS8842NZ , pdf
, 410 КБ
Datasheet FDS8842NZ , pdf
, 409 КБ
Datasheet FDS8842NZ , pdf
, 407 КБ
