FQD3N60CTM-WS, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 170 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор

МОП-транзистор 600V 2.4A N-Channel Q-FET

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2334664

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

0.2604

Ширина

6.22 mm

Высота

2.39 mm

Минимальная рабочая температура

55 C

Id - непрерывный ток утечки

2.4 A

Pd - рассеивание мощности

50 W

Qg - заряд затвора

14 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

3.4 Ohms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

600 V

Vgs - напряжение затвор-исток

30 V, + 30 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

30 ns

Время спада

35 ns

Длина

6.73 mm

Другие названия товара №

FQD3N60CTM_WS

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Коммерческое обозначение

QFET

Конфигурация

Single

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

2500

Серия

FQD3N60CTM_WS

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

35 ns

Типичное время задержки при включении

12 ns

Торговая марка

ON Semiconductor / Fairchild

Упаковка / блок

TO-252-3

Техническая документация

Datasheet FQD3N60CTM-WS , pdf , 955 КБ
Datasheet FQD3N60CTM-WS , pdf , 974 КБ

FQD3N60CTM-WS - характеристики, поставщики

Последняя цена 170 руб.

Техническая документация