ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
FQT7N10TF - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
FQT7N10TF
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
FQT7N10TF
Последняя цена
120 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор 100V Single
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
2334678
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
N-Channel
Вес, г
0.112
Максимальный непрерывный ток стока
1.7 A
Максимальное рассеяние мощности
2 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
3.5 mm
Высота
1.8 mm
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
55 C
Максимальное сопротивление сток-исток
350 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Id - непрерывный ток утечки
1.7 A
Pd - рассеивание мощности
2 W
Qg - заряд затвора
7.5 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
350 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
100 V
Vgs - напряжение затвор-исток
25 V, + 25 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
2 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
24 ns
Время спада
19 ns
Длина
6.5 mm
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.
1.85 S
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
4000
Серия
FQT7N10
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
13 ns
Типичное время задержки при включении
7 ns
Торговая марка
ON Semiconductor / Fairchild
Упаковка / блок
SOT-223-4
Тип
MOSFET
Тип корпуса
SOT-223
Размеры
6.7 x 3.7 x 1.7мм
Материал транзистора
Кремний
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
7 ns
Производитель
ON Semiconductor
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Число контактов
3+Tab
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
5,8 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
190 pF @ 25 V
Максимальное напряжение затвор-исток
-25 В, +25 В
Техническая документация
Datasheet FQT7N10TF , pdf
, 779 КБ
Datasheet FQT7N10TF , pdf
, 763 КБ
