ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
FDD8880, N-Channel MOSFET, 58 A, 30 V, 3-Pin DPAK ON Semiconductor FDD8880 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
FDD8880, N-Channel MOSFET, 58 A, 30 V, 3-Pin DPAK ON Semiconductor FDD…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
FDD8880, N-Channel MOSFET, 58 A, 30 V, 3-Pin DPAK ON Semiconductor FDD8880
Последняя цена
150 руб.
Сравнить
Описание
транзисторы полевые импортные
Полевой МОП-транзистор PowerTrench® с N-каналом, от 20 А до 59,9 А, Fairchild Semiconductor
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
FDD8880
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
2334599
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
58 А
Максимальное рассеяние мощности
55 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
6.22мм
Высота
2.39мм
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
15 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
30 V
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Структура
n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
58
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
55
Корпус
TO252-3
Длина
6.73мм
Серия
PowerTrench
Типичное время задержки выключения
38 нс
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Размеры
6.73 x 6.22 x 2.39мм
Материал транзистора
Кремний
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
8 нс
Производитель
ON Semiconductor
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
23 nC @ 10 V
Типичная входная емкость при Vds
1260 пФ при 15 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C
13A
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)
55W
Rds On - Drain-Source Resistance
9mО© @ 35A,10V
Transistor Polarity
N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
30V
Vgs - Gate-Source Voltage
2.5V @ 250uA
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
9
Температура, С
-55…+175
Техническая документация
Datasheet FDD8880 , pdf
, 499 КБ
Datasheet FDD8880 , pdf
, 533 КБ