ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IPL60R105P7AUMA1 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IPL60R105P7AUMA1
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IPL60R105P7AUMA1
Последняя цена
880 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор HIGH POWER_NEW
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
2336534
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
N-Channel
Минимальная рабочая температура
40 C
Id - непрерывный ток утечки
33 A
Pd - рассеивание мощности
137 W
Qg - заряд затвора
45 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
85 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
600 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
3 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
8 ns
Время спада
5 ns
Другие названия товара №
IPL60R105P7 SP001657410
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
3000
Серия
CoolMOS P7
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
83 ns
Типичное время задержки при включении
15 ns
Торговая марка
Infineon Technologies
Упаковка / блок
VSON-4
Упаковка
Reel, Cut Tape
Техническая документация
Datasheet IPL60R105P7AUMA1 , pdf
, 1325 КБ