ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
DMP3125L-7 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Diodes Incorporated
DMP3125L-7
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
DMP3125L-7
Последняя цена
84 руб.
Сравнить
Описание
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - Single
P-канал 30V 2.5A (Ta) 650 мВт (Ta) поверхностный монтаж SOT-23
Информация
Производитель
Diodes Incorporated
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
2338222
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Полярность Транзистора
P-Channel
Максимальный непрерывный ток стока
2 (State) A, 2.5 (Steady) A
Максимальное рассеяние мощности
1,2 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
1.4мм
Высота
1мм
Количество элементов на ИС
1
Length
3мм
Конфигурация транзистора
Одинарный
Brand
DiodesZetex
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Pin Count
3
Номер канала
Поднятие
Тип канала
P
Прямое напряжение диода
1.2V
Base Product Number
DMP3125 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
2.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
ECCN
EAR99
FET Type
P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
3.1nC @ 4.5V
HTSUS
8541.21.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
254pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power Dissipation (Max)
650mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
95mOhm @ 3.8A, 10V
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
SOT-23
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 250ВµA
Id - непрерывный ток утечки
2.5 A
Pd - рассеивание мощности
1.2 W
Qg - заряд затвора
3.1 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
76 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
30 V
Vgs - напряжение затвор-исток
10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
1 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
6.3 ns
Время спада
13.1 ns
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
3000
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Типичное время задержки выключения
21.8 ns
Типичное время задержки при включении
3.5 ns
Торговая марка
Diodes Incorporated
Упаковка / блок
SOT-23-3
Тип корпуса
SOT-23
Transistor Configuration
Одинарный
Число контактов
3
Типичный заряд затвора при Vgs
3.1 nC @ 4.5V
Максимальное напряжение затвор-исток
±20 В
Width
1.4мм
Maximum Drain Source Resistance
145 мΩ
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Страна происхождения
CN
Максимальное пороговое напряжение включения
2.1V
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 540 КБ
Datasheet , pdf
, 522 КБ