IRFB4227PBF, Транзистор, N-канал 200В 130А, [TO-220AB], Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 230 руб.

Сравнить

Описание

MOSFET, N, 200V, TO-220; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: N; Voltage, Vds Typ: 200V; Current, Id Cont: 65A; Resistance, Rds On: 26ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement: 10V; Voltage, Vgs th Typ: 5V; Case Style: TO-220AB; Termination Type: Through Hole; Capacitance, Ciss Typ: 4600pF; Current, Id Cont @ 100°C: 46A; Current, Id Cont @ 25°C: 65A; Current, Idm Pulse: 260A; Energy, Avalanche Single Pulse Eas: 140mJ; Power, Pd: 190W; Voltage, Rds Measurement: 10V; Voltage, Vds: 200V; Voltage, Vds Max: 200V; Rth: 0.45
Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 200 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 65 А, Сопротивление открытого канала (мин) 24 мОм

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IRFB4227PBF

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1742129

Технические параметры

Вес, г

2.5

Структура

n-канал

Максимальное напряжение сток-исток Uси,В

200

Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А

130

Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В

Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)

0.024 Ом/46А, 10В

Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт

330

Крутизна характеристики, S

Корпус

TO-220AB

Техническая документация

Datasheet , pdf , 1681 КБ
IRFB4227PBF Datasheet , pdf , 285 КБ

IRFB4227PBF, Транзистор, N-канал 200В 130А, [TO-220AB] - характеристики, поставщики

Последняя цена 230 руб.

Техническая документация