ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRF7807ZTRPBF, Транзистор MOSFET N-CH 30V 11A [SOIC-8] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IRF7807ZTRPBF, Транзистор MOSFET N-CH 30V 11A [SOIC-8]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IRF7807ZTRPBF, Транзистор MOSFET N-CH 30V 11A [SOIC-8]
Последняя цена
97 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
IRF7807ZTRPBF
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1742133
Технические параметры
Вес, г
0.25
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C
11A
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)
2.5W
Rds On - Drain-Source Resistance
13.8mО© @ 11A,10V
Transistor Polarity
N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
30V
Vgs - Gate-Source Voltage
2.25V @ 250uA
Техническая документация
Datasheet IRF7807ZTRPBF , pdf
, 215 КБ