Транзисторы - Полевые (FETs, MOSFETs) - купить, сравнить

Структура	2n-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	4.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.056 Ом/4.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	2
Крутизна характеристики, S	11
Корпус	soic-8

Сравнить

Структура	N/P-каналы
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	35
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	15/12
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.03 Ом/15А, 10В/0.048 Ом/12А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	10.4
Крутизна характеристики, S	13/10
Корпус	DPAK-5(4 Leads+Tab)

Сравнить

Структура	N/P-каналы
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	15/12
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.028 Ом/15А, 10В/0.042 Ом/12А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	10.4
Крутизна характеристики, S	6/5
Корпус	DPAK-5(4 Leads+Tab)

Сравнить

Структура	2n/2p-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	5.5/4.1
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.033 Ом/6.3А, 10В/0.055 Ом/5.1А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	1.38
Крутизна характеристики, S	5.2/4.8
Корпус	soic-8

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	140
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.008 Ом/75А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	330
Корпус	TO-220AB

N-канальный силовой МОП-транзистор для автомобильной промышленности, Infineon Комплексный портфель Infineon, состоящий из од…

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	10.8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.299 Ом/5.4А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	32.1
Крутизна характеристики, S	13.5
Корпус	TO-220F

МОП-транзистор SupreMOS 11A

Сравнить

Структура	p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	35
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	55
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.0116 Ом/14А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	57
Крутизна характеристики, S	35
Корпус	DPAK(2 Leads+Tab)

Автомобильный МОП-транзистор с P-каналом, Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor предлагает решения, которые решают…

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	50
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.0085 Ом/14А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	44
Крутизна характеристики, S	58
Корпус	DPAK(2 Leads+Tab)

Автомобильный N-канальный МОП-транзистор, Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor предлагает решения, которые решают…

Сравнить

Структура	p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	12
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	2.6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.04 Ом/2.6А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	0.5
Крутизна характеристики, S	10
Корпус	SuperSOT-3/SOT-23-3

MOSFET, P, SMD, SSOT-3; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: P; Voltage, Vds Typ: -12V; Current, Id Cont: -2.6A; Resistance, Rds On: 40mohm…

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	12
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.65 Ом/6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	39
Крутизна характеристики, S	13.5
Корпус	TO-220F

МОП-транзистор UNIFET2 600V N-CH МОП-транзистор SINGLE GAGE

Сравнить