STQ1NK80ZR-AP, Транзистор MOSFET N-CH 800В 300MA TO92-3 Formed Leads
Производитель: STMicroelectronics, STQ1NK80ZR-AP
МОП-транзистор N Ch 800V 13 Ohm 1A
DMN6040SSS-13
Производитель: Diodes Incorporated
N-канал 60V 5,5A (Ta) 1,5W (Ta) поверхностный монтаж 8-SO
2N7002, [SOT-23] MOSFET-транзистор Single N-канальный 60В 0.34А
![2N7002, [SOT-23] MOSFET-транзистор Single N-канальный 60В 0.34А](/file/p_img/1742643.jpg)
Производитель: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd., 2N7002
IPB600N25N3GATMA1, N-Channel MOSFET, 25 A, 250 V, 3-Pin D2PAK
Производитель: Infineon Technologies, IPB600N25N3GATMA1
Полевые МОП-транзисторы Infineon OptiMOS ™ 3, 100 В и более
SIRA00DP-T1-GE3, MOSFET транзистор
Производитель: Vishay, SIRA00DP-T1-GE3
N-канальный MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor
DMG6968UTS-13
Производитель: Diodes Incorporated
МОП-транзистор N-Ch Dual МОП-транзистор 20V VDSS 30A IDM
2SK3530, Транзистор, SuperFAP-G, N-канал, 800В, 7А, 1.9Ом [2-10R1B / TO-220F]
![2SK3530, Транзистор, SuperFAP-G, N-канал, 800В, 7А, 1.9Ом [2-10R1B / TO-220F]](/file/p_img/1742406.jpg)
Производитель: Fuji Electric, 2SK3530
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.9 Ом/3.5А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 70 |
| Корпус | TO-220F |
2SK3562, Транзистор, N-канал [TO-220F]
![2SK3562, Транзистор, N-канал [TO-220F]](/file/p_img/1742405.jpg)
Производитель: Toshiba, 2SK3562
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.25 Ом/3А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 40 |
| Крутизна характеристики, S | 5 |
| Корпус | SC-67/2-10U1B |
2SK3567, Транзистор, N-канал [TO-220F]
![2SK3567, Транзистор, N-канал [TO-220F]](/file/p_img/1742404.jpg)
Производитель: Toshiba, 2SK3567
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 2.2 Ом/1.8А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 40 |
| Крутизна характеристики, S | 2.6 |
| Корпус | SC-67/2-10U1B |
2SK3568, Транзистор, TT-MOSVI, N-канал, 500В, 12А [SC-67 / 2-10U1B]
![2SK3568, Транзистор, TT-MOSVI, N-канал, 500В, 12А [SC-67 / 2-10U1B]](/file/p_img/1742403.jpg)
Производитель: Toshiba, 2SK3568
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 12 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.52 Ом/6А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 40 |
| Корпус | SC-67/2-10U1B |