ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRF7853PBF, Транзистор, N-канал 100В 8.3А [SO-8] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
International Rectifier
IRF7853PBF, Транзистор, N-канал 100В 8.3А [SO-8]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IRF7853PBF, Транзистор, N-канал 100В 8.3А [SO-8]
Последняя цена
230 руб.
Сравнить
Описание
Корпус SO-8, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 8.3 А, Сопротивление открытого канала (мин) 18 мОм
Информация
Производитель
International Rectifier
Артикул
IRF7853PBF
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1742131
Технические параметры
Вес, г
0.15
Структура
n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
8.3
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
0.018 ом при 8.3a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
2.5
Крутизна характеристики, S
11
Корпус
so8
Пороговое напряжение на затворе
3…4.9
Техническая документация
Datasheet IRF7853 , pdf
, 209 КБ