ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
FDA20N50F, Транзистор, UniFET, N-канал, 500В, 22А [TO-3PN] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
FDA20N50F, Транзистор, UniFET, N-канал, 500В, 22А [TO-3PN]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
FDA20N50F, Транзистор, UniFET, N-канал, 500В, 22А [TO-3PN]
Последняя цена
280 руб.
Сравнить
Описание
МОП-транзистор 500V N-Channel
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
FDA20N50F
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1766024
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Вес, г
6.5
Максимальный непрерывный ток стока
22 А
Максимальное рассеяние мощности
388 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
5мм
Высота
20.1мм
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
260 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
500 V
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Длина
15.8мм
Серия
UniFET
Типичное время задержки выключения
100 нс
Тип корпуса
TO-3PN
Размеры
15.8 x 5 x 20.1мм
Материал транзистора
Кремний
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
45 ns
Производитель
ON Semiconductor
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Число контактов
2
Категория
Высокое напряжение
Типичный заряд затвора при Vgs
50 nC @ 10 V
Типичная входная емкость при Vds
2550 pF @ 25 V
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 V, +30 V
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 1533 КБ
Datasheet FDA20N50F , pdf
, 1531 КБ
Datasheet , pdf
, 1529 КБ