EL

Транзисторы - Полевые (FETs, MOSFETs) - купить, сравнить

Полевые (FETs, MOSFETs)

DMP3099L-7, МОП-транзистор P-Channel -30V 3.8A 2.1V @ 250uA 65m @ 3.8A,10V 1.08W [SOT-23-3]
DMP3099L-7, МОП-транзистор P-Channel -30V 3.8A 2.1V @ 250uA 65m @ 3.8A,10V 1.08W [SOT-23-3]
Производитель: Diodes Incorporated, DMP3099L-7

P-канал 30V 3.8A (Ta) 1.08W (Ta) поверхностный монтаж SOT-23

DMP2130L-7, Транзистор MOSFET, P-канал, 20В, 3А, [SOT-23-3]
DMP2130L-7, Транзистор MOSFET, P-канал, 20В, 3А, [SOT-23-3]
Производитель: Diodes Incorporated, DMP2130L-7

P-канал 20V 3A (Ta) 1,4W (Ta) поверхностный монтаж SOT-23-3

DMP2022LSS-13, Транзистор MOSFET P-CH 20В 10А Automotive [SOP-8]
DMP2022LSS-13, Транзистор MOSFET P-CH 20В 10А Automotive [SOP-8]
Производитель: Diodes Incorporated, DMP2022LSS-13

МОП-транзистор с каналом P, от 12 до 25 В, Diodes Inc.

DMP2021UFDF-7, Транзистор MOSFET P-CH 20В 9A [U-DFN2020-6]
DMP2021UFDF-7, Транзистор MOSFET P-CH 20В 9A [U-DFN2020-6]
Производитель: Diodes Incorporated, DMP2021UFDF-7

МОП-транзистор P-Ch -20V Enh FET 8Vgss 0.73W 2760pF

DMN6040SVT-7, Транзистор MOSFET N-CH 60V 5A Automotive [TSOT-26-6]
DMN6040SVT-7, Транзистор MOSFET N-CH 60V 5A Automotive [TSOT-26-6]
Производитель: Diodes Incorporated, DMN6040SVT-7
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.044 Ом/4.3А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 1.2
Крутизна характеристики, S 4.5
Корпус tsot-23-6

МОП-транзистор 60V N-Ch 44mOhm 10V VGS 5.0A

DMN3190LDW-7, Транзистор MOSFET 2N-CH 30В 1A [SOT-363]
DMN3190LDW-7, Транзистор MOSFET 2N-CH 30В 1A [SOT-363]
Производитель: Diodes Incorporated, DMN3190LDW-7

Dual N-Channel MOSFET, Diodes Inc.

DMG2302U-7, МОП-транзистор, AEC-Q101, N Канал, 4.2 А, 20 В, 0.09 Ом, 4.5 В, 1 В [SOT-23]
DMG2302U-7, МОП-транзистор, AEC-Q101, N Канал, 4.2 А, 20 В, 0.09 Ом, 4.5 В, 1 В [SOT-23]
Производитель: Diodes Incorporated, DMG2302U-7
Структура n-канал
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.09 Ом/3.6a, 4.5В

N-канальный полевой МОП-транзистор, от 12 В до 28 В, Diodes Inc.

CSD87312Q3E, Транзистор MOSFET 2N-CH 30V 27A [VSON-8 (3.3x3.3)]
CSD87312Q3E, Транзистор MOSFET 2N-CH 30V 27A [VSON-8 (3.3x3.3)]
Производитель: Texas Instruments, CSD87312Q3E

МОП-транзистор Dual 30V N-CH NexFET Pwr МОП-транзисторs

CSD25483F4T, МОП-транзистор, P Канал, -1.6 А, -20 В, 0.175 Ом, -8 В, -950 мВ [PicoStar]
CSD25483F4T, МОП-транзистор, P Канал, -1.6 А, -20 В, 0.175 Ом, -8 В, -950 мВ [PicoStar]
Производитель: Texas Instruments, CSD25483F4T
Структура p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 1.6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.205 Ом/0.5А, 8В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 0.5
Крутизна характеристики, S 1.4
Корпус PicoStar-3

P-Channel FemtoFET ™ Power MOSFET, Texas Instruments

CSD25201W15, МОП-транзистор, P-Канал, -4 А, -20 В, 33 мОм, -4.5 В, -700 мВ, [DSBGA-9]
CSD25201W15, МОП-транзистор, P-Канал, -4 А, -20 В, 33 мОм, -4.5 В, -700 мВ, [DSBGA-9]
Производитель: Texas Instruments, CSD25201W15