ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
FCPF11N60, Nкан 650В 11А TO-220F - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Fairchild Semiconductor
FCPF11N60, Nкан 650В 11А TO-220F
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
FCPF11N60, Nкан 650В 11А TO-220F
Последняя цена
320 руб.
Сравнить
Описание
40 нКл)
• Низкая эффективная выходная емкость (Coss.eff = 95 пФ)
• 100% лавинные испытания
Информация
Производитель
Fairchild Semiconductor
Артикул
FCPF11N60
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1765959
Технические параметры
Вес, г
2.105
Структура
n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
650
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
11
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
0.38 Ом/5.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
125
Крутизна характеристики, S
9.7
Корпус
TO-220F
Пороговое напряжение на затворе
3…5
Техническая документация
FCP11N60 datasheet , pdf
, 477 КБ
Datasheet , pdf
, 869 КБ
Datasheet FCPF11N60 , pdf
, 851 КБ
Datasheet FCPF11N60 , pdf
, 867 КБ