ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
FDA24N40F, Транзистор, MOSFET N-CH 400В 23А [TO-3PN] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
FDA24N40F, Транзистор, MOSFET N-CH 400В 23А [TO-3PN]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
FDA24N40F, Транзистор, MOSFET N-CH 400В 23А [TO-3PN]
Последняя цена
340 руб.
Сравнить
Описание
N-канальный МОП-транзистор UniFET ™, Fairchild Semiconductor
МОП-транзистор UniFET ™ - это семейство высоковольтных МОП-транзисторов Fairchild Semiconductor. Он имеет наименьшее сопротивление в открытом состоянии среди планарных полевых МОП-транзисторов, а также обеспечивает превосходные характеристики переключения и более высокую устойчивость к лавинной энергии. Кроме того, внутренний антистатический диод затвор-исток позволяет MOSFET-транзистору UniFET-II ™ выдерживать импульсное напряжение HBM более 2000 В.
Полевые МОП-транзисторы UniFET ™ подходят для применения в импульсных преобразователях мощности, таких как коррекция коэффициента мощности (PFC), плоские дисплеи (FPD) Питание телевизора, ATX (Advanced Technology eXtended) и электронные балласты для ламп.
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
FDA24N40F
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1766025
Технические параметры
Вес, г
6.5
Структура
n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
400
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
23
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
0.19 Ом/11.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
235
Крутизна характеристики, S
29
Корпус
TO-3PN
Техническая документация
FDA24N40F , pdf
, 1523 КБ
Datasheet FDA24N40F , pdf
, 1505 КБ