ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRF7304TRPBF, Транзисто HEXFET, 2P-канала, 20В, 4.3А, 0.090Ом [SO-8] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IRF7304TRPBF, Транзисто HEXFET, 2P-канала, 20В, 4.3А, 0.090Ом [SO-8]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IRF7304TRPBF, Транзисто HEXFET, 2P-канала, 20В, 4.3А, 0.090Ом [SO-8]
Последняя цена
45 руб.
Сравнить
Описание
Корпус SO-8, Конфигурация и полярность DUAL P, Максимальное напряжение сток-исток 20 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 4.3 А, Сопротивление открытого канала (мин) 90 мОм
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
IRF7304TRPBF
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1772710
Технические параметры
Вес, г
0.15
Структура
2p-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
4.7
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
0.09 Ом/2.2А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
1.4
Крутизна характеристики, S
4
Корпус
soic-8
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 232 КБ