ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRF7307TRPBF, Транзистор, HEXFET, N/P-каналы, 20В, 5.2А/-4.3А [SOIC-8] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IRF7307TRPBF, Транзистор, HEXFET, N/P-каналы, 20В, 5.2А/-4.3А [SOIC-8]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IRF7307TRPBF, Транзистор, HEXFET, N/P-каналы, 20В, 5.2А/-4.3А [SOIC-8]
Последняя цена
52 руб.
Сравнить
Описание
Корпус SO-8, Конфигурация и полярность N+P, Максимальное напряжение сток-исток 20 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 5.2 А
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
IRF7307TRPBF
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1772714
Технические параметры
Вес, г
0.15
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C
5.2A,4.3A
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)
2W
Rds On - Drain-Source Resistance
50mО© @ 2.6A,4.5V
Transistor Polarity
N & P Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
20V
Vgs - Gate-Source Voltage
700mV @ 250uA
Техническая документация
irf7307pbf , pdf
, 284 КБ
IRF7307TRPBF , pdf
, 283 КБ
Datasheet IRF7307TRPBF , pdf
, 283 КБ