ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRF7309TRPBF, Транзистор, N/P-каналы 30B 4A/-3А [SO-8] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IRF7309TRPBF, Транзистор, N/P-каналы 30B 4A/-3А [SO-8]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IRF7309TRPBF, Транзистор, N/P-каналы 30B 4A/-3А [SO-8]
Последняя цена
51 руб.
Сравнить
Описание
Корпус SO-8, Конфигурация и полярность N+P, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 4 А
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
IRF7309TRPBF
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1772716
Технические параметры
Вес, г
0.15
Структура
N/P-каналы
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
4.9/3.6
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
0.05 Ом/2.4А, 10В/0.1 Ом/1.8А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
1.4
Крутизна характеристики, S
5.2/2.5
Корпус
soic-8
Техническая документация
Datasheet IRF7309 , pdf
, 2060 КБ