Транзисторы - Полевые (FETs, MOSFETs) - купить, сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	0.8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.8 Ом/0.48А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	1
Крутизна характеристики, S	1.1
Корпус	HVMDIP-4

IRFD220PBF - это силовой полевой МОП-транзистор третьего поколения с N-канальным расширением и оптимальным сочетанием быстрого переключения, про…

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	80
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	1.1
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.27 Ом/0.78А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	1
Крутизна характеристики, S	1
Корпус	HVMDIP-4

Корпус DIP4, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 1.…

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	1.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.27 Ом/0.78А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	1.3
Крутизна характеристики, S	0.8
Корпус	HVMDIP-4

N-канальный МОП-транзистор, от 100 до 150 В, Vishay Semiconductor

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	1
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.54 Ом/0.6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	1.3
Крутизна характеристики, S	0.8
Корпус	HVMDIP-4

N-канальный МОП-транзистор, от 100 до 150 В, Vishay Semiconductor

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	2.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.1 Ом/1.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	1.3
Крутизна характеристики, S	0.9
Корпус	HVMDIP-4

IRFD024PBF - это силовой МОП-транзистор с N-каналом на 60 В, силовой МОП-транзистор HEXFET® третьего поколения предоставляет разработчикам наилу…

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	1.7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.2 Ом/1А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	1.3
Крутизна характеристики, S	0.96
Корпус	HVMDIP-4

IRFD014PBF - это силовой МОП-транзистор с N-каналом на 60 В, силовой МОП-транзистор HEXFET® третьего поколения предоставляет разработчикам наилу…

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	1000
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	3.1
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	5 Ом/1.9А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	125
Крутизна характеристики, S	2.1
Корпус	TO-220AB

N-канальный MOSFET, от 600 В до 1000 В, Vishay Semiconductor

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	1000
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	1.4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	11000
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	54
Крутизна характеристики, S	1
Корпус	TO-220AB

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	900
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	3.6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	3.7 Ом/2.2А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	125
Крутизна характеристики, S	2.3
Корпус	TO-220AB

N-канальный MOSFET, от 600 В до 1000 В, Vishay Semiconductor

Сравнить

Корпус TO-220-3, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 800 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпус…

Сравнить