ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRFD123PBF, Транзистор, MOSFET, N-канал, 100В, 1.3А [HVMDIP] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Vishay
IRFD123PBF, Транзистор, MOSFET, N-канал, 100В, 1.3А [HVMDIP]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IRFD123PBF, Транзистор, MOSFET, N-канал, 100В, 1.3А [HVMDIP]
Последняя цена
25 руб.
Сравнить
Описание
Корпус DIP4, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 1.3 А, Сопротивление открытого канала (мин) 270 мОм
Информация
Производитель
Vishay
Артикул
IRFD123PBF
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1772957
Технические параметры
Вес, г
0.6
Структура
n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
80
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
1.1
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
0.27 Ом/0.78А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
1
Крутизна характеристики, S
1
Корпус
HVMDIP-4
Пороговое напряжение на затворе
4
Техническая документация
IRFd123 datasheet , pdf
, 267 КБ
Datasheet IRFD123, SiHFD123 , pdf
, 1836 КБ
Datasheet IRFD123PBF , pdf
, 930 КБ
Datasheet IRFD123PBF , pdf
, 1835 КБ
Datasheet IRFD123PBF , pdf
, 1832 КБ