Транзисторы - Полевые (FETs, MOSFETs) - купить, сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	800
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	1.8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	6.5 Ом/1.1А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	54
Крутизна характеристики, S	0.8
Корпус	TO-220AB

N-канальный MOSFET, от 600 В до 1000 В, Vishay Semiconductor

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	6.2
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	1.2 Ом/3.7А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	125
Крутизна характеристики, S	3.4
Корпус	TO-220AB

IRFBC40APBF является N-канальным силовым МОП-транзистором 600В с режимом обогащения и одной конфигурацией. Он подходит для импульсных источников…

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	6.2
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	1.2 Ом/3.7А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	125
Крутизна характеристики, S	4.7
Корпус	TO-220AB

МОП-транзистор N-Chan 600V 6.2 Amp

Сравнить

MOSFET Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Channel Drain Source Voltage, Vds 600V Continuous Drain Current, Id 3.6A On Resistance, Rds(on)…

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	3.6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	2.2 Ом/2.2А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	74
Крутизна характеристики, S	2.4
Корпус	TO-220AB

N-канальный MOSFET, от 600 В до 1000 В, Vishay Semiconductor

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	174
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.005 Ом/101А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	330
Крутизна характеристики, S	69
Корпус	Super-220

N-канальный силовой МОП-транзистор, 55 В, Infineon Линейка дискретных силовых МОП-транзисторов с HEXFET® от Infineon включае…

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	206
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.0037Ом/95А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	300
Крутизна характеристики, S	106
Корпус	Super-220

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	650
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	9.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.93 Ом/5.1А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	167
Крутизна характеристики, S	3.9
Корпус	TO-220AB

N-канальный MOSFET, от 600 В до 1000 В, Vishay Semiconductor

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	9.2
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.75 Ом/5.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	170
Крутизна характеристики, S	5.5
Корпус	TO-220AB

N-канальный MOSFET, от 600 В до 1000 В, Vishay Semiconductor

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	3.6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	2.2 Ом/2.2А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	78
Крутизна характеристики, S	7.6
Корпус	TO-220AB

MOSFET для управления двигателем и синхронного выпрямителя переменного тока в постоянный, Infineon

Сравнить