ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRFBG30PBF, Транзистор, N-канал 1000В 3.1А [TO-220AB] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Vishay
IRFBG30PBF, Транзистор, N-канал 1000В 3.1А [TO-220AB]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IRFBG30PBF, Транзистор, N-канал 1000В 3.1А [TO-220AB]
Последняя цена
110 руб.
Сравнить
Описание
N-канальный MOSFET, от 600 В до 1000 В, Vishay Semiconductor
Информация
Производитель
Vishay
Артикул
IRFBG30PBF
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1772952
Технические параметры
Вес, г
2.5
Структура
n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
1000
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
3.1
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
5 Ом/1.9А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
125
Крутизна характеристики, S
2.1
Корпус
TO-220AB
Пороговое напряжение на затворе
4
Техническая документация
IRFBG30 Datasheet , pdf
, 168 КБ
Datasheet IRFBG30PBF , pdf
, 1640 КБ
Datasheet IRFBG30PBF , pdf
, 1640 КБ
Datasheet IRFBG30PBF , pdf
, 1522 КБ