Транзисторы - Полевые (FETs, MOSFETs) - купить, сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	85
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.0033 Ом/50А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	78
Крутизна характеристики, S	159
Корпус	PQFN-8(5X6)

IRFH7446TRPBF - одноканальный силовой МОП-транзистор HEXFET® с N-каналом, обеспечивающий повышенную стойкость к затвору, лавинной и динамической…

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	85
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.0024 Ом/50А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	104
Крутизна характеристики, S	149
Корпус	PQFN-8(5X6)

• Полностью охарактеризованная емкость и лавинный SOA • Улучшенные характеристики корпусного диода dV / dt и di / dt

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	100
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.00125 Ом/100А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	160
Крутизна характеристики, S	120
Корпус	PQFN-8(5X6)

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	100
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.0014 Ом/100А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	156
Крутизна характеристики, S	117
Корпус	PQFN-8(5X6)

StrongIRFET ™ Power MOSFET, Infineon Семейство StrongIRFET от Infineon оптимизировано для работы при низк…

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	100
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.00185 Ом/50А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	110
Крутизна характеристики, S	218
Корпус	PQFN-8(5X6)

International Rectifier представил линейку новых силовых HEXFET MOSFET транзисторов, имеющий одно из самых низких значений сопротивления канала в…

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	100
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.0014 Ом/50А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	250
Крутизна характеристики, S	190
Корпус	PQFN-8(5X6)

Сравнить

Структура	2n-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	25
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	35
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.0032 Ом/30А, 10В/0.0011 Ом/30А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	31
Крутизна характеристики, S	131/164
Корпус	PQFN-8(5X6)

Сравнить

Структура	2n-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	25
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	45
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.0032 Ом/30А, 10В/0.00085 Ом/30А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	31
Крутизна характеристики, S	131/161
Корпус	PQFN-8(5X6)

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	25
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	100
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.00135 Ом/50А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	3.6
Крутизна характеристики, S	340
Корпус	PQFN-8(5X6)

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	25
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	245
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.00135 Ом/50А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	3.6
Крутизна характеристики, S	251
Корпус	PQFN-8(5X6)

Сравнить