ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRFD110PBF, Транзистор, MOSFET, N-канал, 100В, 1А [HVMDIP] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Vishay
IRFD110PBF, Транзистор, MOSFET, N-канал, 100В, 1А [HVMDIP]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IRFD110PBF, Транзистор, MOSFET, N-канал, 100В, 1А [HVMDIP]
Последняя цена
40 руб.
Сравнить
Описание
N-канальный МОП-транзистор, от 100 до 150 В, Vishay Semiconductor
Информация
Производитель
Vishay
Артикул
IRFD110PBF
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1772955
Технические параметры
Вес, г
0.6
Структура
n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
1
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
0.54 Ом/0.6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
1.3
Крутизна характеристики, S
0.8
Корпус
HVMDIP-4
Пороговое напряжение на затворе
4
Техническая документация
IRFD110 Datasheet , pdf
, 175 КБ
Datasheet IRFD110, SiHFD110 , pdf
, 151 КБ
Datasheet IRFD110PBF , pdf
, 151 КБ
Datasheet IRFD110PBF , pdf
, 147 КБ