IRFH4210DTRPBF, Транзистор N-канал 20В 20А 2.5Вт [SO-8]
![IRFH4210DTRPBF, Транзистор N-канал 20В 20А 2.5Вт [SO-8]](/file/p_img/1772968.jpg)
Производитель: International Rectifier, IRFH4210DTRPBF
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 25 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 100 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0011 Ом/50А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 3.5 |
| Крутизна характеристики, S | 392 |
| Корпус | PQFN-8(5X6) |
N-канал 25 В, 44 А (Ta), 3,5 Вт (Ta), 125 Вт (Tc), поверхностный монтаж PQFN (5x6)
IRFH4201TRPBF, Транзистор N-канал 25В 100А 0.95мОм [PQFN-5x6]
![IRFH4201TRPBF, Транзистор N-канал 25В 100А 0.95мОм [PQFN-5x6]](/file/p_img/1772967.jpg)
Производитель: International Rectifier, IRFH4201TRPBF
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 25 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 100 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.00095 Ом/50А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 3.5 |
| Крутизна характеристики, S | 175 |
| Корпус | PQFN-8(5X6) |
IRFH3707TRPBF, Транзистор, N-канал 30В 12А [PQFN-3x3]
![IRFH3707TRPBF, Транзистор, N-канал 30В 12А [PQFN-3x3]](/file/p_img/1772966.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, IRFH3707TRPBF
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 12 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0124 Ом/12А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.8 |
| Крутизна характеристики, S | 17 |
| Корпус | PQFN-8(3X3) |
IRFD9120PBF, Транзистор, MOSFET, P-канал, 100В, 1A [HVMDIP]
![IRFD9120PBF, Транзистор, MOSFET, P-канал, 100В, 1A [HVMDIP]](/file/p_img/1772965.jpg)
Производитель: Vishay, IRFD9120PBF
| Структура | p-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.6 Ом/0.6А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.3 |
| Крутизна характеристики, S | 0.71 |
| Корпус | HVMDIP-4 |
IRFD9120PBF - это силовой полевой МОП-транзистор с P-каналом на -100 В, силовой полевой МОП-транзистор HEXFET® третьего поколения предоставляет…
IRFH3702TRPBF, Транзистор, N-канал 30В 16А [PQFN-3x3]
![IRFH3702TRPBF, Транзистор, N-канал 30В 16А [PQFN-3x3]](/file/p_img/1772964.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, IRFH3702TRPBF
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 16 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0071 Ом/16А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.8 |
| Крутизна характеристики, S | 37 |
| Корпус | PQFN-8(3X3) |
N-канальный силовой полевой МОП-транзистор 30 В, Infineon Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов с полевыми тра…
IRFD9110PBF, Транзистор, MOSFET, P-канал, 100В, 0.7A [HVMDIP]
![IRFD9110PBF, Транзистор, MOSFET, P-канал, 100В, 0.7A [HVMDIP]](/file/p_img/1772963.jpg)
Производитель: Vishay, IRFD9110PBF
| Структура | p-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.7 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.2 Ом/0.42А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.3 |
| Крутизна характеристики, S | 0.6 |
| Корпус | HVMDIP-4 |
IRFD9110PBF - это силовой полевой МОП-транзистор с P-каналом на -100 В, силовой полевой МОП-транзистор HEXFET® третьего поколения предоставляет…
IRFD9024PBF, Транзистор, P-канал, 60В, 1.6А [HVMDIP]
![IRFD9024PBF, Транзистор, P-канал, 60В, 1.6А [HVMDIP]](/file/p_img/1772962.jpg)
Производитель: Vishay, IRFD9024PBF
| Структура | p-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1.6 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.28 Ом/0.96А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.3 |
| Крутизна характеристики, S | 1.3 |
| Корпус | HVMDIP-4 |
IRFD9024PBF представляет собой силовой полевой МОП-транзистор с P-каналом на -60 В, силовой полевой МОП-транзистор HEXFET® третьего поколения пр…
![IRFD9014PBF, Транзистор MOSFET P-канал 60В 1.1А [HVMDIP]](/file/p_img/1772961.jpg)
IRFD420PBF, Транзистор, MOSFET, N-канал, 500В, 0.37А [HVMDIP]
![IRFD420PBF, Транзистор, MOSFET, N-канал, 500В, 0.37А [HVMDIP]](/file/p_img/1772960.jpg)
Производитель: Vishay, IRFD420PBF
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.48 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 3 Ом/0.22А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1 |
| Крутизна характеристики, S | 1.5 |
| Корпус | HVMDIP-4 |
МОП-транзистор 500V N-CH HEXFET HEXDI
IRFD320PBF, Транзистор, MOSFET, N-канал, 400В, 0.49А [HVMDIP]
![IRFD320PBF, Транзистор, MOSFET, N-канал, 400В, 0.49А [HVMDIP]](/file/p_img/1772959.jpg)
Производитель: Vishay, IRFD320PBF
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 400 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.3 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.8 Ом/0.21А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1 |
| Крутизна характеристики, S | 2 |
| Корпус | HVMDIP-4 |
MOSFET N, HEXDIP Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Current, Id Cont 0.49A Resistance, Rds On 1.8ohm Case Style HEXDIP Current, Idm Pulse…