Транзисторы - Полевые (FETs, MOSFETs) - купить, сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	21
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.0038 Ом/20А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	2.7
Крутизна характеристики, S	52
Корпус	PQFN-8(3.3X3.3)

Корпус QFN-8, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 21…

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.0043 Ом/20А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	2.8
Крутизна характеристики, S	69
Корпус	PQFN-8(3.3X3.3)

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	25
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	28
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.0022 Ом/30А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	39
Крутизна характеристики, S	136
Корпус	PQFN-8(3.3X3.3)

Сравнить

Структура	p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	21
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.0046 Ом/21А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	3.1
Крутизна характеристики, S	39
Корпус	PQFN-8(5X6)

MOSFET Infineon Technologies IRFH9310TRPBF 1 P-Kanal 3.1 W VDFN-8 Корпус QFN-8, Конфигурация и полярность P, Максимальное напряжение сток-исток…

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	50
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.0041 Ом/20А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	54
Крутизна характеристики, S	72
Корпус	PQFN-8(5X6)

N-канал 30 В, 23 А (Ta), 90 А (Tc), 3,6 Вт (Ta), 54 Вт (Tc), поверхностный монтаж PQFN (5x6)

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	25
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.0049 Ом/20А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	54
Крутизна характеристики, S	68
Корпус	PQFN-8(5X6)

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	50
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.0031 Ом/20А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	59
Крутизна характеристики, S	81
Корпус	PQFN-8(5X6)

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	50
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.00295 Ом/20А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	59
Крутизна характеристики, S	69
Корпус	PQFN-8(5X6)

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	50
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.0021 Ом/20А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	96
Крутизна характеристики, S	83
Корпус	PQFN-8(5X6)

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	35
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.0087 Ом/14А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	3.1
Крутизна характеристики, S	77
Корпус	PQFN-8(5X6)

Сравнить