ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRFH9310TRPBF, Транзистор, P-канал 30В 40А [PQFN-5x6] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IRFH9310TRPBF, Транзистор, P-канал 30В 40А [PQFN-5x6]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IRFH9310TRPBF, Транзистор, P-канал 30В 40А [PQFN-5x6]
Последняя цена
66 руб.
Сравнить
Описание
MOSFET Infineon Technologies IRFH9310TRPBF 1 P-Kanal 3.1 W VDFN-8
Корпус QFN-8, Конфигурация и полярность P, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 21 А, Сопротивление открытого канала (мин) 4.6 мОм
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
IRFH9310TRPBF
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1772986
Технические параметры
Вес, г
0.5
Структура
p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
21
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
0.0046 Ом/21А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
3.1
Крутизна характеристики, S
39
Корпус
PQFN-8(5X6)
Пороговое напряжение на затворе
-1.3…-2.4
Техническая документация
IRFH9310PBF datasheet , pdf
, 308 КБ
Datasheet IRFH9310TRPBF , pdf
, 290 КБ