Транзисторы - Полевые (FETs, MOSFETs) - купить, сравнить


Полевые (FETs, MOSFETs)

IRFIZ24NPBF, Nкан 55В 13А TO220FP
IRFIZ24NPBF, Nкан 55В 13А TO220FP
Производитель: International Rectifier, IRFIZ24NPBF
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 14
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.07 Ом/7.8А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 29
Крутизна характеристики, S 4.5
Корпус to-220fp

IRFIBE30GPBF, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 2.1 А, 800 В, 3 Ом, 10 В, 4 В, [TO-220FP]
IRFIBE30GPBF, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 2.1 А, 800 В, 3 Ом, 10 В, 4 В, [TO-220FP]
Производитель: Vishay, IRFIBE30GPBF

• Изолированный корпус • Низкое тепловое сопротивление • Путь утечки из раковины в свинец • Высоковольтная изоляция • Динами…

IRFIBC40G, Nкан 600В 3.5А изол TO220F
IRFIBC40G, Nкан 600В 3.5А изол TO220F
Производитель: International Rectifier, IRFIBC40G
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 3.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 1.2 Ом/2.1А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 40
Крутизна характеристики, S 4.9
Корпус to-220fp

IRFIBC30GPBF, Транзистор, N-канал 600В 2.5А [TO-220FP]
IRFIBC30GPBF, Транзистор, N-канал 600В 2.5А [TO-220FP]
Производитель: Vishay, IRFIBC30GPBF
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 2.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 2.2 Ом/1.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 35
Крутизна характеристики, S 2.2
Корпус to-220fp

МОП-транзистор N-Chan 600V 2.5 Amp

IRFIB6N60APBF, Транзистор, N-канал 600В 5.5А [TO-220FP]
IRFIB6N60APBF, Транзистор, N-канал 600В 5.5А [TO-220FP]
Производитель: Vishay, IRFIB6N60APBF
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 5.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.75 Ом/3.3А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 60
Крутизна характеристики, S 5.5
Корпус to-220fp

N-канальный MOSFET, от 600 В до 1000 В, Vishay Semiconductor

IRFI9640GPBF, Транзистор, P-канал 200В 6.1А [TO-220FP]
IRFI9640GPBF, Транзистор, P-канал 200В 6.1А [TO-220FP]
Производитель: Vishay, IRFI9640GPBF
Структура p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 6.1
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.5 Ом/3.7А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 40
Крутизна характеристики, S 3.4
Корпус to-220fp

МОП-транзистор P-Chan 200V 6.1 Amp

IRFI9634GPBF, Транзистор MOSFET P-канал 250В 4.1А [TO-220FP]
IRFI9634GPBF, Транзистор MOSFET P-канал 250В 4.1А [TO-220FP]
Производитель: Vishay, IRFI9634GPBF

МОП-транзистор с каналом P, от 100 до 400 В, Vishay Semiconductor

IRFI9634G, Pкан -250В -4.1А TO220FP
IRFI9634G, Pкан -250В -4.1А TO220FP
Производитель: International Rectifier, IRFI9634G
Структура p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 250
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 4.1
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 1 Ом/2.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 25
Крутизна характеристики, S 2.2
Корпус to-220fp

IRFI9530GPBF, Транзистор, P-канал 100В 7.7А [TO-220FP]
IRFI9530GPBF, Транзистор, P-канал 100В 7.7А [TO-220FP]
Производитель: Vishay, IRFI9530GPBF
Структура p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 7.7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.3 Ом/4.6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 42
Крутизна характеристики, S 3.4
Корпус to-220fp

60s, f = 60Hz) Изоляция высокого напряжения • Расстояние утечки между каналом и проводом 4,8 мм • Диапазон рабочих температур от -55 до 1…