Транзисторы - Полевые (FETs, MOSFETs) - купить, сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	4.6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.85 Ом/2.8А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	40
Крутизна характеристики, S	3.7
Корпус	to-220fp

N-канальный МОП-транзистор, 500 В, Vishay Semiconductor

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	5.9
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.4 Ом/3.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	35
Крутизна характеристики, S	3.2
Корпус	to-220fp

60 с, f = 60 Гц) Изоляция высокого напряжения • Расстояние утечки между каналом и проводом 4,8 мм • Динамическое сопротивление dV / dt

Сравнить

N-канальный МОП-транзистор, от 200 до 250 В, Vishay Semiconductor

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	17
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.052 Ом/11А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	33
Крутизна характеристики, S	9
Корпус	to-220fp

Корпус TO220FP, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса…

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	17
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.077 Ом/10А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	48
Крутизна характеристики, S	9.1
Корпус	to-220fp

60s, f = 60Hz) Изоляция высокого напряжения • Расстояние утечки между каналом и проводом 4,8 мм • Диапазон рабочих температур от -55 до 1…

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	11
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.11 Ом/6.6a, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	33
Корпус	to-220fp

• Передовые технологические процессы • Изолированный корпус • Полностью лавинный рейтинг • Низкое статическое сопротивление между…

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	35
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.0135 Ом/21А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	42
Крутизна характеристики, S	55
Корпус	to-220fp

N-канальный силовой полевой МОП-транзистор 100 В, Infineon Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов с полевыми тр…

Сравнить

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	47
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.025 Ом/17А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	46
Крутизна характеристики, S	47
Корпус	to-220fp

MOSFET: N, 200 В, Q1: N, 22mΩ / 10V, 26 А Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 200 В, Ток стока номи…

Сравнить

Структура	2n-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	11
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.0725 Ом/6.6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	18
Крутизна характеристики, S	11
Корпус	TO-220FP-5(5 Leads)

Сравнить