ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRFH8316TRPBF, Транзистор HEXFET N-канал 30В 25А 4.9мОм [PQFN-5x6] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
International Rectifier
IRFH8316TRPBF, Транзистор HEXFET N-канал 30В 25А 4.9мОм [PQFN-5x6]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IRFH8316TRPBF, Транзистор HEXFET N-канал 30В 25А 4.9мОм [PQFN-5x6]
Последняя цена
200 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
International Rectifier
Артикул
IRFH8316TRPBF
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1772982
Технические параметры
Структура
n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
50
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
0.00295 Ом/20А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
59
Крутизна характеристики, S
69
Корпус
PQFN-8(5X6)
Пороговое напряжение на затворе
1.2…2.2
Техническая документация
irfh8316pbf , pdf
, 257 КБ