Транзисторы - Полевые (FETs, MOSFETs) - купить, сравнить

Структура	2n-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	11
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.06 Ом/7.7А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	14
Крутизна характеристики, S	6.5
Корпус	TO-220FP-5(5 Leads)

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	64
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.008 Ом/34А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	63
Крутизна характеристики, S	42
Корпус	to-220fp

IRFI3205PBF - это N-канальный силовой полевой МОП-транзистор HEXFET® пятого поколения, в котором используются передовые технологии обработки для…

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	24
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.036 Ом/13А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	56
Крутизна характеристики, S	14
Корпус	to-220fp

N-канал 100V 24A (Tc) 56W (Tc) сквозное отверстие TO-220AB Full-Pak

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	49
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.012 Ом/26А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	58
Крутизна характеристики, S	30
Корпус	to-220fp

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	8.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.016 Ом/8.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	2.1
Крутизна характеристики, S	18
Корпус	PQFN-6(2X2)

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	8.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.016 Ом/8.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	2.1
Корпус	PQFN-6(2X2)

Сравнить

Структура	2n-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	10
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.0149 Ом/10А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	2.7
Крутизна характеристики, S	20
Корпус	PQFN-8(3.3X3.3)

• Низкое тепловое сопротивление печатной плате (, lt; 6,7 ° C / Вт) • Низкий профиль • Распиновка в соответствии с отраслевым стандарт…

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	16
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.0061 Ом/20А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	33
Крутизна характеристики, S	56
Корпус	PQFN-8(3.3X3.3)

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	19
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.0047 Ом/20А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	2.8
Крутизна характеристики, S	70
Корпус	PQFN-8(3.3X3.3)

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	14
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.0078 Ом/12А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	2.5
Крутизна характеристики, S	82
Корпус	PQFN-8(3.3X3.3)

Сравнить