Транзисторы - Полевые (FETs, MOSFETs) - купить, сравнить


Полевые (FETs, MOSFETs)

IRFL4105TRPBF, Транзистор, N-канал 55В 3.7А [SOT-223]
IRFL4105TRPBF, Транзистор, N-канал 55В 3.7А [SOT-223]
Производитель: Infineon Technologies, IRFL4105TRPBF
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 3.7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.045 Ом/3.7А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2.1
Крутизна характеристики, S 3.8
Корпус SOT-223

MOSFET 55V 3.7A SOT223 Корпус SOT-223, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 55 В, Ток стока номинальный при 25°C, бе…

IRFL214TRPBF, Транзистор N-CH 250V 790MA [SOT-223]
IRFL214TRPBF, Транзистор N-CH 250V 790MA [SOT-223]
Производитель: Vishay, IRFL214TRPBF
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 250
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 0.8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 2 Ом/0.47А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 3.1
Крутизна характеристики, S 0.5
Корпус SOT-223

IRFL110TRPBF, Транзистор, N-канал 100В 1.5А [SOT-223]
IRFL110TRPBF, Транзистор, N-канал 100В 1.5А [SOT-223]
Производитель: Vishay, IRFL110TRPBF
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 1.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.54 Ом/0.9А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 3.1
Крутизна характеристики, S 1.1
Корпус SOT-223

N-канальный МОП-транзистор, от 100 до 150 В, Vishay Semiconductor

IRFL024NTRPBF, Транзистор, N-канал 55В 5.1А [SOT-223]
IRFL024NTRPBF, Транзистор, N-канал 55В 5.1А [SOT-223]
Производитель: Infineon Technologies, IRFL024NTRPBF
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 2.8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.075 Ом/2.8А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2.1
Крутизна характеристики, S 3
Корпус SOT-223

Корпус SOT-223, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 55 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса…

IRFL014NTRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 55В, 1.9А [SOT-223]
IRFL014NTRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 55В, 1.9А [SOT-223]
Производитель: Infineon Technologies, IRFL014NTRPBF

Корпус SOT-223, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 55 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса…

IRFL014NPBF, Транзистор, N-канал 55В 1.9А [SOT-223]
IRFL014NPBF, Транзистор, N-канал 55В 1.9А [SOT-223]
Производитель: International Rectifier, IRFL014NPBF
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 1.9
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.16 Ом/1.9А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2.1
Крутизна характеристики, S 1.6
Корпус SOT-223

IRFL014TRPBF, Транзистор, N-канал 60В 2.7А [SOT-223] (IRFL014PBF)
IRFL014TRPBF, Транзистор, N-канал 60В 2.7А [SOT-223] (IRFL014PBF)
Производитель: Vishay, IRFL014TRPBF
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 2.7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.2 Ом/1.6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 3.1
Крутизна характеристики, S 1.9
Корпус SOT-223

МОП-транзистор N-Chan 60V 2.7 Amp

IRFIZ44NPBF, Транзистор, N-канал 55В 28А [TO-220FP]
IRFIZ44NPBF, Транзистор, N-канал 55В 28А [TO-220FP]
Производитель: International Rectifier, IRFIZ44NPBF
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 31
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.024 Ом/17А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 45
Крутизна характеристики, S 17
Корпус to-220fp

N-канальный силовой МОП-транзистор, 55 В, Infineon Линейка дискретных силовых МОП-транзисторов с HEXFET® от Infineon включае…