IRFHM8363TRPBF, Транзистор 2N-кан 30В 10A, [PQFN-3х3] (=IRFHM8363TR2PBF), Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 89 руб.

Сравнить

Описание

• Низкое тепловое сопротивление печатной плате (, lt; 6,7 ° C / Вт)
• Низкий профиль
• Распиновка в соответствии с отраслевым стандартом
• Совместимость с существующими технологиями поверхностного монтажа
• Без галогенов

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IRFHM8363TRPBF

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1772993

Технические параметры

Вес, г

0.43

Структура

2n-канала

Максимальное напряжение сток-исток Uси,В

Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А

Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В

Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)

0.0149 Ом/10А, 10В

Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт

2.7

Крутизна характеристики, S

Корпус

PQFN-8(3.3X3.3)

Пороговое напряжение на затворе

1.35…2.35

Техническая документация

irfhm8363pbf , pdf , 236 КБ
irfhm8363pbf , pdf , 320 КБ

IRFHM8363TRPBF, Транзистор 2N-кан 30В 10A, [PQFN-3х3] (=IRFHM8363TR2PBF) - характеристики, поставщики

Последняя цена 89 руб.

Техническая документация