ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRFHM8329TRPBF, Транзистор HEXFET N-канал 30В 16А [PQFN 3.3X3.3 8L] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IRFHM8329TRPBF, Транзистор HEXFET N-канал 30В 16А [PQFN 3.3X3.3 8L]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IRFHM8329TRPBF, Транзистор HEXFET N-канал 30В 16А [PQFN 3.3X3.3 8L]
Последняя цена
42 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
IRFHM8329TRPBF
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1772992
Технические параметры
Вес, г
0.43
Структура
n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
16
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
0.0061 Ом/20А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
33
Крутизна характеристики, S
56
Корпус
PQFN-8(3.3X3.3)
Пороговое напряжение на затворе
1.2…2.2
Техническая документация
irfhm8329pbf , pdf
, 467 КБ
Datasheet IRFHM8329TRPBF , pdf
, 594 КБ