ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
NTMFS4C09NT1G, Транзистор MOSFET N-CH 30В 9А [SO-8 FL] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
NTMFS4C09NT1G, Транзистор MOSFET N-CH 30В 9А [SO-8 FL]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
NTMFS4C09NT1G, Транзистор MOSFET N-CH 30В 9А [SO-8 FL]
Последняя цена
45 руб.
Сравнить
Описание
N-канальный силовой полевой МОП-транзистор, 30 В, ON Semiconductor
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
NTMFS4C09NT1G
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1785119
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
5вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора
DFN
Рассеиваемая Мощность
25.5Вт
Полярность Транзистора
N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
30В
Непрерывный Ток Стока
52А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.0046Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs
2.1В
Вес, г
0.15
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Техническая документация
Datasheet NTMFS4C09N , pdf
, 183 КБ
Datasheet NTMFS4C09NT1G , pdf
, 185 КБ
Datasheet NTMFS4C09NT1G , pdf
, 89 КБ
Datasheet , pdf
, 141 КБ